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郝跃,张金风,张进成 著
出版社: 科学出版社 ISBN:9787030367174 版次:1 商品编码:11197571 包装:精装 丛书名: 半导体科学与技术丛书 开本:16开 出版时间:2013-01-01 用纸:胶版纸 页数:303 字数:390000 正文语种:中文
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读参考。
序言
第1章 绪论
第2章 Ⅲ族氮化物半导体材料的性质
第3章 氮化物材料的异质外延生长和缺陷性质
第4章 GaNHEMT材料的电学性质与机理
第5章 AIGaN/GaN异质结材料的生长与优化方法
第6章 AIGaN/GaN多异质结材料与电子器件
第7章 脉冲MOCVD方法生长InAIN/GaN异质结材料
第8章 Ⅲ族氮化物电子材料的缺陷和物性分析
第9章 GaNHEMT器件的原理和优化
第10章 GaNHEMT器件的制备工艺和性能
第11章 GaNHEMT器件的电热退化与可靠性
第12章 GaN增强型HEMT器件和集成电路
第13章 GaNMOS—HEMT器件
第14章 氮化物半导体材料和电子器件的发展
附录 缩略语表
《半导体科学与技术丛书》已出版书目
氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 电子书 下载 mobi epub pdf txt
氮化物宽禁带半导体材料与电子器件-so88
氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2022
图书介绍
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郝跃,张金风,张进成 著
出版社: 科学出版社 ISBN:9787030367174 版次:1 商品编码:11197571 包装:精装 丛书名: 半导体科学与技术丛书 开本:16开 出版时间:2013-01-01 用纸:胶版纸 页数:303 字数:390000 正文语种:中文
内容简介
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础,系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法,重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。全书共14章,内容包括:氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理,HEMT材料的电学性质,Al CaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析,GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析,GaN增强型 HEMT器件和集成电路,GaN MOS-HEMT器件,最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读参考。
目录
《半导体科学与技术丛书》出版说明序言
第1章 绪论
第2章 Ⅲ族氮化物半导体材料的性质
第3章 氮化物材料的异质外延生长和缺陷性质
第4章 GaNHEMT材料的电学性质与机理
第5章 AIGaN/GaN异质结材料的生长与优化方法
第6章 AIGaN/GaN多异质结材料与电子器件
第7章 脉冲MOCVD方法生长InAIN/GaN异质结材料
第8章 Ⅲ族氮化物电子材料的缺陷和物性分析
第9章 GaNHEMT器件的原理和优化
第10章 GaNHEMT器件的制备工艺和性能
第11章 GaNHEMT器件的电热退化与可靠性
第12章 GaN增强型HEMT器件和集成电路
第13章 GaNMOS—HEMT器件
第14章 氮化物半导体材料和电子器件的发展
附录 缩略语表
《半导体科学与技术丛书》已出版书目
前言/序言
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