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Ming-Bo Lin(林铭波) 著,刘艳艳 等 译
出版社: 电子工业出版社 ISBN:9787121265976 版次:1 商品编码:11748987 包装:平装 丛书名: 经典译丛·微电子学 开本:16开 出版时间:2015-07-01 用纸:胶版纸 页数:701 字数:1263000 正文语种:中文
《超大规模集成电路系统导论:逻辑、电路与系统设计》共16章。第1章至第6章主要介绍层次化IC设计、标准CMOS逻辑设计、金属一氧化物一半导体(M0S)晶体管的物理学原理、器件制造、物理版图、电路仿真、功耗和低功耗设计规则及技巧。第7章至第9章介绍了静态逻辑和动态逻辑以及时序逻辑。第10章至第16章以及附录部分关注系统设计,主要包括数据通路子系统设计、存储器模块、设计方法和实现方式、互连线、电源分布与时钟设计、输入/输出模块、ESD保护网络以及测试和可测性设计等内容。
《超大规模集成电路系统导论:逻辑、电路与系统设计》内容丰富,自成体系,既可作为高等院校电子科学与技术、集成电路工程等专业高年级本科生和研究生教材,也可供从事相关领域研究工作的工程技术人员自学和参考。
1.1 VLSI简介
1.1.1 简介
1.1.2 VLSI电路的基本特征
1.1.3 VLSI电路设计中存在的问题
1.1.4 VLSI经济学
1.2 开关MOS晶体管
1.2.1 nMOS晶体管
1.2.2 pMOS晶体管
1.2.3 CMOS传输门
1.2.4 简单开关逻辑设计
1.2.5 CMOS逻辑设计规则
1.3 VLSI设计与制造
1.3.1 设计技术
1.3.2 单元设计
1.3.3 CMOS工艺
1.3.4 CMOS版图
1.3.5 版图设计规则
1.4 数字系统的实现方法
1.4.1 未来趋势
1.4.2 实现方式
1.5 小结
参考文献
习题
第2章 MOS晶体管基础
2.1 半导体基础
2.1.1 本征半导体
2.1.2 非本征半导体
2.1.3 载流子输运过程
2.2 pn结
2.2.1 pn结
2.2.2 金属半导体结
2.3 MOS晶体管理论
2.3.1 MOS系统
2.3.2 MOS晶体管工作原理
2.3.3 MOS晶体管的I-V特性
2.3.4 按比例缩小理论
2.4 MOS晶体管的高级特性
2.4.1 MOS晶体管的非理想特性
2.4.2 阈值电压效应
2.4.3 泄漏电流
2.4.4 短沟道I-V特性
2.4.5 温度效应
2.4.6 MOS晶体管的限制
2.5 SPICE和建模
2.5.1 SPICE简介
2.5.2 二极管模型
2.5.3 MOS晶体管模型
2.6 小结
参考文献
习题
第3章 CMOS集成电路制造
3.1 基本工艺
3.1.1 热氧化
3.1.2 掺杂工艺
3.1.3 光刻
3.1.4 薄膜去除
3.1.5 薄膜淀积
3.2 各种材料及其应用
3.2.1 绝缘体
3.2.2 半导体
3.2.3 导体
3.3 工艺集成
3.3.1 FEOL
3.3.2 BEOL
3.3.3 后端工艺
3.4 先进CMOS工艺和器件
3.4.1 先进CMOS工艺器件
3.4.2 先进CMOS工艺
3.5 小结
参考文献
习题
第4章 版图设计
4.1 版图设计规则
4.1.1 版图设计的基本概念
4.1.2 基本结构的版图
4.1.3 高级版图设计讨论
4.1.4 相关CAD工具
4.2 CMOS闩锁及其预防
4.2.1 CMOS闩锁
4.2.2 闩锁的预防
4.3 版图设计
4.3.1 单元概念
4.3.2 基本版图设计
4.4 复杂逻辑门的版图设计方法
4.4.1 源/漏共享
4.4.2 欧拉路径法
4.4.3 版图设计小结
4.5 小结
参考文献
习题
第5章 延迟模型和路径延迟优化
5.1 MOS晶体管的电阻和电容
5.1.1 MOS晶体管的电阻
5.1.2 MOS晶体管的电容
5.2 传输延迟与延迟模型
5.2.1 电压电平与噪声容限
5.2.2 与时序相关的基本术语
5.2.3 传输延迟
5.2.4 单元延迟模型
5.2.5 Elmore延迟模型
5.3 路径延迟优化
5.3.1 驱动较大容性负载
5.3.2 路径延迟优化
5.3.3 逻辑功效和路径延迟优化
5.4 小结
参考文献
习题
第6章 功耗与低功耗设计
6.1 功耗
6.1.1 功耗的组成部分
6.1.2 动态功耗
6.1.3 设计裕度
6.1.4 确定导线宽度
6.2 低功耗逻辑设计原则
6.2.1 基本原则
6.2.2 降低电压摆幅
6.2.3 减少转换操作
6.2.4 减小开关电容
6.3 低功耗逻辑架构
6.3.1 流水线技术
6.3.2 并行处理技术
6.4 功率管理
6.4.1 基本技术
6.4.2 动态功率管理
6.5 小结
参考文献
习题
第7章 静态逻辑电路
7.1 基本静态逻辑电路
7.1.1 静态逻辑电路的类型
7.1.2 CMOS反相器
7.1.3 与非门
7.1.4 或非门
7.1.5 基本门尺寸
7.2 单轨逻辑电路
7.2.1 CMOS逻辑电路
7.2.2 基于TG的逻辑电路
7.2.3 有比逻辑电路
7.3 双轨逻辑电路
7.3.1 共源共栅电压开关逻辑(CVSL)
7.3.2 互补传输晶体管逻辑(CPL)
……
第8章 动态逻辑电路
第9章 时序逻辑设计
第10章 数据通路设计
第11章 存储器
第12章 设计方法和实现方式
第13章 互连线
第14章 电源分布和时钟设计
第15章 输入/输出模块和ESD保护网络
第16章 测试、验证和可测性设计
附录A
术语表
超大规模集成电路系统导论:逻辑、电路与系统设计 电子书 下载 mobi epub pdf txt
超大规模集成电路系统导论:逻辑、电路与系统设计-so88
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图书介绍
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Ming-Bo Lin(林铭波) 著,刘艳艳 等 译
出版社: 电子工业出版社 ISBN:9787121265976 版次:1 商品编码:11748987 包装:平装 丛书名: 经典译丛·微电子学 开本:16开 出版时间:2015-07-01 用纸:胶版纸 页数:701 字数:1263000 正文语种:中文
内容简介
《超大规模集成电路系统导论:逻辑、电路与系统设计》对超大规模集成电路与系统的分析和设计进行了全面介绍。从电路与版图设计基础知识出发,再逐步深入,对超大规模集成电路设计进行了详尽阐述。《超大规模集成电路系统导论:逻辑、电路与系统设计》由浅入深,理论联系实际,同时提供了大量的图表和设计实例。《超大规模集成电路系统导论:逻辑、电路与系统设计》共16章。第1章至第6章主要介绍层次化IC设计、标准CMOS逻辑设计、金属一氧化物一半导体(M0S)晶体管的物理学原理、器件制造、物理版图、电路仿真、功耗和低功耗设计规则及技巧。第7章至第9章介绍了静态逻辑和动态逻辑以及时序逻辑。第10章至第16章以及附录部分关注系统设计,主要包括数据通路子系统设计、存储器模块、设计方法和实现方式、互连线、电源分布与时钟设计、输入/输出模块、ESD保护网络以及测试和可测性设计等内容。
《超大规模集成电路系统导论:逻辑、电路与系统设计》内容丰富,自成体系,既可作为高等院校电子科学与技术、集成电路工程等专业高年级本科生和研究生教材,也可供从事相关领域研究工作的工程技术人员自学和参考。
作者简介
Ming-Bo Lin(林铭波)博士,台湾科技大学电子工程系教授。曾就读于台湾大学和美国马里兰大学。已经出版了26本教材(包括修订)和两个英语教材。内页插图
目录
第1章 绪论1.1 VLSI简介
1.1.1 简介
1.1.2 VLSI电路的基本特征
1.1.3 VLSI电路设计中存在的问题
1.1.4 VLSI经济学
1.2 开关MOS晶体管
1.2.1 nMOS晶体管
1.2.2 pMOS晶体管
1.2.3 CMOS传输门
1.2.4 简单开关逻辑设计
1.2.5 CMOS逻辑设计规则
1.3 VLSI设计与制造
1.3.1 设计技术
1.3.2 单元设计
1.3.3 CMOS工艺
1.3.4 CMOS版图
1.3.5 版图设计规则
1.4 数字系统的实现方法
1.4.1 未来趋势
1.4.2 实现方式
1.5 小结
参考文献
习题
第2章 MOS晶体管基础
2.1 半导体基础
2.1.1 本征半导体
2.1.2 非本征半导体
2.1.3 载流子输运过程
2.2 pn结
2.2.1 pn结
2.2.2 金属半导体结
2.3 MOS晶体管理论
2.3.1 MOS系统
2.3.2 MOS晶体管工作原理
2.3.3 MOS晶体管的I-V特性
2.3.4 按比例缩小理论
2.4 MOS晶体管的高级特性
2.4.1 MOS晶体管的非理想特性
2.4.2 阈值电压效应
2.4.3 泄漏电流
2.4.4 短沟道I-V特性
2.4.5 温度效应
2.4.6 MOS晶体管的限制
2.5 SPICE和建模
2.5.1 SPICE简介
2.5.2 二极管模型
2.5.3 MOS晶体管模型
2.6 小结
参考文献
习题
第3章 CMOS集成电路制造
3.1 基本工艺
3.1.1 热氧化
3.1.2 掺杂工艺
3.1.3 光刻
3.1.4 薄膜去除
3.1.5 薄膜淀积
3.2 各种材料及其应用
3.2.1 绝缘体
3.2.2 半导体
3.2.3 导体
3.3 工艺集成
3.3.1 FEOL
3.3.2 BEOL
3.3.3 后端工艺
3.4 先进CMOS工艺和器件
3.4.1 先进CMOS工艺器件
3.4.2 先进CMOS工艺
3.5 小结
参考文献
习题
第4章 版图设计
4.1 版图设计规则
4.1.1 版图设计的基本概念
4.1.2 基本结构的版图
4.1.3 高级版图设计讨论
4.1.4 相关CAD工具
4.2 CMOS闩锁及其预防
4.2.1 CMOS闩锁
4.2.2 闩锁的预防
4.3 版图设计
4.3.1 单元概念
4.3.2 基本版图设计
4.4 复杂逻辑门的版图设计方法
4.4.1 源/漏共享
4.4.2 欧拉路径法
4.4.3 版图设计小结
4.5 小结
参考文献
习题
第5章 延迟模型和路径延迟优化
5.1 MOS晶体管的电阻和电容
5.1.1 MOS晶体管的电阻
5.1.2 MOS晶体管的电容
5.2 传输延迟与延迟模型
5.2.1 电压电平与噪声容限
5.2.2 与时序相关的基本术语
5.2.3 传输延迟
5.2.4 单元延迟模型
5.2.5 Elmore延迟模型
5.3 路径延迟优化
5.3.1 驱动较大容性负载
5.3.2 路径延迟优化
5.3.3 逻辑功效和路径延迟优化
5.4 小结
参考文献
习题
第6章 功耗与低功耗设计
6.1 功耗
6.1.1 功耗的组成部分
6.1.2 动态功耗
6.1.3 设计裕度
6.1.4 确定导线宽度
6.2 低功耗逻辑设计原则
6.2.1 基本原则
6.2.2 降低电压摆幅
6.2.3 减少转换操作
6.2.4 减小开关电容
6.3 低功耗逻辑架构
6.3.1 流水线技术
6.3.2 并行处理技术
6.4 功率管理
6.4.1 基本技术
6.4.2 动态功率管理
6.5 小结
参考文献
习题
第7章 静态逻辑电路
7.1 基本静态逻辑电路
7.1.1 静态逻辑电路的类型
7.1.2 CMOS反相器
7.1.3 与非门
7.1.4 或非门
7.1.5 基本门尺寸
7.2 单轨逻辑电路
7.2.1 CMOS逻辑电路
7.2.2 基于TG的逻辑电路
7.2.3 有比逻辑电路
7.3 双轨逻辑电路
7.3.1 共源共栅电压开关逻辑(CVSL)
7.3.2 互补传输晶体管逻辑(CPL)
……
第8章 动态逻辑电路
第9章 时序逻辑设计
第10章 数据通路设计
第11章 存储器
第12章 设计方法和实现方式
第13章 互连线
第14章 电源分布和时钟设计
第15章 输入/输出模块和ESD保护网络
第16章 测试、验证和可测性设计
附录A
术语表
前言/序言
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