【XH】 功率半导体器件基础-英文版-so88
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图书介绍
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[美] B.Jayant Baliga 著
店铺: 爱尚美润图书专营店 出版社: 科学出版社 ISBN:9787030343406 商品编码:29491499538 包装:平装 出版时间:2012-06-01
基本信息
书名:功率半导体器件基础-英文版
定价:150.00元
作者: B.Jayant Baliga
出版社:科学出版社
出版日期:2012-06-01
ISBN:9787030343406
字数:
页码:1065
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:1.503kg
编辑推荐
《国外信息科学与技术图书系列:功率半导体器件基础(英文版)》深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,不仅详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。本书可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书,也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。
内容提要
《国外信息科学与技术图书系列:功率半导体器件基础(英文版)》作者B.Jayant Baliga是功率半导体器件领域的专家,IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验,深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,不仅详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
《国外信息科学与技术图书系列:功率半导体器件基础(英文版)》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书,也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。
目录
Preface
Chapter 1 Introduction
1.1 Ideal and Typical Power Switching Waveforms
1.2 Ideal and Typical Power Device Characteristics
1.3 Unipolar Power Devices
1.4 Bipolar Power Devices
1.5 MOS-Bipolar Power Devices
1.6 Ideal Drift Regiofor Unipolar Power Devices
1.7 Charge-Coupled Structures: Ideal Specific On-Resistance
1.8 Summary
Problems
References
Chapter 2 Material Properties and Transport Physics
2.1 Fundamental Properties
2.1.1 Intrinsic Carrier Concentration
2.1.2 Bandgap Narrowing
2.1.3 Built-iPotential
2.1.4 Zero-Bias DepletioWidth
2.1.5 Impact IonizatioCoefficients
2.1.6 Carrier Mobility
2.2 Resistivity
2.2.1 Intrinsic Resistivity
2.2.2 Extrinsic Resistivity
2.2.3 NeutroTransmutatioDoping
2.3 RebinatioLifetime
Chapter 3 BreakdowVoltage
Chapter 4 Schottky Rectifiers
Chapter 5 P-i-N Rectifiers
Chapter 6 Power Mosfets
Chapter 7 Bipolar JunctioTransistors
Chapter 8 Thyristors
Chapter 9 Insulated Gate Bipolar Transistors
Chapter 10 Synopsis
Index
作者介绍
文摘
序言
Preface
Chapter 1 Introduction
1.1 Ideal and Typical Power Switching Waveforms
1.2 Ideal and Typical Power Device Characteristics
1.3 Unipolar Power Devices
1.4 Bipolar Power Devices
1.5 MOS-Bipolar Power Devices
1.6 Ideal Drift Regiofor Unipolar Power Devices
1.7 Charge-Coupled Structures: Ideal Specific On-Resistance
1.8 Summary
Problems
References
Chapter 2 Material Properties and Transport Physics
2.1 Fundamental Properties
2.1.1 Intrinsic Carrier Concentration
2.1.2 Bandgap Narrowing
2.1.3 Built-iPotential
2.1.4 Zero-Bias DepletioWidth
2.1.5 Impact IonizatioCoefficients
2.1.6 Carrier Mobility
2.2 Resistivity
2.2.1 Intrinsic Resistivity
2.2.2 Extrinsic Resistivity
2.2.3 NeutroTransmutatioDoping
2.3 RebinatioLifetime
Chapter 3 BreakdowVoltage
Chapter 4 Schottky Rectifiers
Chapter 5 P-i-N Rectifiers
Chapter 6 Power Mosfets
Chapter 7 Bipolar JunctioTransistors
Chapter 8 Thyristors
Chapter 9 Insulated Gate Bipolar Transistors
Chapter 10 Synopsis
Index
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