电子学原理与应用(普通高等教育十一五规划教材)-so88
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图书介绍
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麻寿光 著
店铺: 赏心悦目图书专营店 出版社: 高等教育出版社 ISBN:9787040311419 商品编码:29395956778 包装:平装 出版时间:2011-01-01
基本信息
书名:电子学原理与应用(普通高等教育十一五规划教材)
定价:40.90元
作者:麻寿光
出版社:高等教育出版社
出版日期:2011-01-01
ISBN:9787040311419
字数:690000
页码:440
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.681kg
编辑推荐
麻寿光编著的《电子学原理与应用》以基本的物理概念和基本的数学分析过程为基础,引出由器件基本特性构成的电路模型,尽可能论据充足,使读者充分理解不同的工作条件下,如何合理建立相应的电路模型;本书将MOSFET作为重点内容介绍;本教材内容的编写尽可能反映当前电子新技术在工业领域的应用;在基本内容的选择上,充分体现了当前电子工程应用中模拟与数字、线性与非线性等相互结合的特点。为便于读者掌握书中的内容,大部分章节结尾附有练习题,并给出答案。
内容提要
麻寿光编著的《电子学原理与应用》是普通高等教育“十一五”*规划教材,吸收了外同类教材的主体思想、内容、方法和手段,并将作者多年的教学、科研经验有机融合到教材中。《电子学原理与应用》内容包括:固态电子学、二极管与二极管电路、场效应管、双极型三极管、小信号放大器、功率放大器、运算放大器、振荡器、电子控制器件和电路、直流稳压电源。扎实的理论功底与将基本原理转化到工程应用中的技能是创新的要素。本书以基本的物理概念和基本的数学分析过程为基础,引出由器件基本特性构成的电路模型,这个过程尽可能论据充足,使读者充分理解不同的工作条件下,如何合理建立相应的电路模型。为适应现代微电子技术发展的趋势,将MOSFET作为重点内容介绍。从MOS电容的特性入手,建立MOSFET的导电模型,并对高密度MOS集成电路中的一些问题及解决办法做较详细介绍。电子技术的应用领域不断拓展,新的技术与器件层出不穷,本教材内容的选择尽可能反映当前电子新技术在工业领域的新应用。在基本内容的选取上,充分体现了当前电子工程应用中模拟与数字、线性与非线性等相互结合的特点。本书使用相当多的篇幅,通过工程实例讨论了电磁兼容问题的解决方案,将为工程技术人员设计一个可靠的电子产品提供有用的思路。本书适于作为高等学校电气信息、电子信息类各专业模拟电子技术课程的教材,也可作为工程技术人员的参考书。
目录
章 固态电子学 1.1 固态电子学材料 1.2 共价键模型 1.3 半导体中的漂移电流与迁移率 1.3.1 漂移电流 1.3.2 迁移率 1.3.3 饱和速度 1.4 本征硅的电阻率 1.5 半导体掺杂 1.5.1 硅晶体中的施主杂质 1.5.2 硅晶体中的受主原子 1.6 掺杂半导体中电子与空的浓度 1.6.1 N型材料(ND>NA) 1.6.2 P型材料(NA>ND) 1.7 掺杂半导体的迁移率与电阻率 1.8 扩散电流 1.9 总电流 1.10 能带模型 1.10.1 本征半导体内的电子-空对 1.10.2 掺杂半导体的能带模型 1.10.3 补偿半导体 小结 习题第2章 二极管与二极管电路第3章 场效应管第4章 双极型三极管第5章 小信号放大器第6章 功率放大器第7章 运算放大器第8章 振荡器第9章 电子控制器件和电路0章 直流稳压电源索引主要参考书目
作者介绍
文摘
序言
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